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纠缠谱及Renyi熵在量子相变和高陈数绝缘体的应用
报告题目 纠缠谱及Renyi熵在量子相变和高陈数绝缘体的应用
报告人 范桁研究员
报告人单位

 中科院物理所

报告时间 2012年12月12日(星期三)下午14:30
报告地点 中国科学技术大学微尺度国家实验室6001会议室
主办单位 量子信息与量子科技前沿协同创新中心
报告介绍

摘要:

  量子纠缠在量子信息处理中起到关键性作用。纯态量子纠缠的全部信息可以由纠缠谱来刻画。在量子信息中,量子纠缠纯态的互相转化需要纠缠谱之间的关系和Renyi熵来决定。另一方面,纠缠谱和Renyi熵在刻画凝聚态模型方面也起到重要的作用。纠缠谱在凝聚态模型中可以表述为空间的纠缠也可以是动量空间的纠缠。在报告中,我们将展示纠缠谱和Renyi熵在量子相变和高陈数绝缘体中的应用。

 

参考文献:

  1. Z. Liu, E. J. Bergholtz, Heng Fan and A. M. Lauchli,
    Fractional Chern insulators in topological flat bands with higher Chern number,Phys. Rev. Lett. 109, 186805 (2012).
  2. J. Cui, M. Gu, L. C. Kwek, M. F. Santos, Heng Fan and V. Vedral,
    Quantum phases with differing computational power, Nature Commun. 3, 812 (2012).
 
范桁:
  中国科学院物理研究所研究员,中科院“人才计划”入选者(2005)。90年北京大学毕业,96年西北大学博士学位。1999-2005先后在东京大学、加州大学洛杉矶做研究工作。2005年至今在物理所工作。在量子信息和量子计算、凝聚态理论、场论和统计等研究中取得成果。发表SCI文章110余篇,其中Nature子刊(Nat.Commun.)一篇, Phys.Rev.Lett.四篇, Nucl.Phys.B八篇,论文被引用900次,单篇最高引用90次。现973项目课题负责人。1999年曾以第一获奖人获省级科技进步二等奖一项。 
 
 
 

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